| jura | |
|---|---|
| Pokud ne, proč? 3. Hledám OZ se vstupní napěťovou nesymetrií do 5mV v celém rozsahu teplot a napájení, pracující od max. ±3V do min. ±15V s minimálním rozsahem na vstupu ±napájení-2V a výstup až k oběma hranicím napájení. Na CA3160 se mě nelíbí odběr a příliš velký úbytky od hranic napájení na výstupu- chce to tak do 20mV. Výstup bude zatížen asi >100kohmů a na rychlosti příliš nezáleží. Cena do 25. Bude to pro obdélníkový oscilátor 20-100Hz určitých vlastností a "tisíce slov" k tomu psát nebudu, protože nečekám kritiku na každý jednotlivý slovo, co jsem napsal, není se proto před čím dopředu bránit. Pokud Vás něco napadá hned z hlavy, prosím, sem s tím, zatím se mě s tím nechce totiž hledat... Hluboce děkuji! | |
Vloženo: 25.3.2008 21:06 z IP: 85.160.119.121 | |
| jura | |
|---|---|
| Zdravím. Prosím o zodpovězení dotazů, nejlíp odbornici, kterou uznávám a proto její stránky navštěvuju: 1. Proč je vlastně "tepelná kapacita" vnitřku MOS výkonového tranzistoru, vypočítaná z bezpečných pracovních oblastí, popřípadě impulsní tepelné impedance při krátkých časech, (pod 100µs, kdy je odvod tepla tepelným odporem bezvýznamným) tak divoce závislá na tom čase, místo aby při těch nejkratších časech konvergovala ke konstantě maximální ztráta*čas této ztráty/(tjmax-25°C)? Nenůže to být třeba tím, že jsou polovodičové přechody, nebo vodivé kanály natolik nehomogenní, že se vytvářejí teplá a studená místa a mezi nimi určité tepelné odpory, bránící při kratších časech a větším zatížení odvodu toho tepla? Natolik do hloubky jsem se o to nikdy před tím nezajímal, ale teť mě to trochu začalo vrtat hlavou. 2. Osobní: Zajímalo by mě, zda jste, vážená Ing. Ronešová, sama někdy postavila podobný zdroj, jako ten, o kterém tady byla řeč, aniž by jste osadila ochranný člen. Pokud ne, p ...zkráceno | |
Vloženo: 25.3.2008 21:05 z IP: 85.160.119.121 | |
| Opakované odeslání příspěvku | Andrea Ronešová |
|---|---|
| Funkce Reload/Aktualizovat (většinou F5) způsobí ve všech prohlížečích zopakování posledního požadavku, pokud tím požadavkem byl zápis příspěvku, tak se zapíše znovu. Pokud chcete obnovit stránku těsně po odeslání příspěvku, tak klikněte v menu na Náměty a připomínky, pak už by neměl reload dělat problém. | |
Vloženo: 25.3.2008 17:41 z IP: 147.228.95.97 | |
| jura | |
|---|---|
| A přiučil jsem se, že nejhorší je při návrhu obvodu přemýšlet, jak by to navrhnul někdo jinej a že ta moje varianta nestojí za nic- pak to spolehlivě podělám... | |
Vloženo: 25.3.2008 12:59 z IP: 195.178.67.252 | |
| jura | |
|---|---|
| Díky za podobný názor. Že v datasheetu udávají taky Iar jsem ani nevěděl, tak jsem se v prvním přiblížení vždy díval na soa a pak popřípadě na transient thermal impedance, nebo jsem si přibližně vypočítal tu tepelnou kapacitu, která je ale jen časově závislá násilná aproximace. Ale otázka je právě chování mnoha miniMOSFETíků uvnitř výkonovýho pouzdra při průrazu, tím jsem si nikdy nebyl jistej- tam asi jde o malinko složitější statistickou záležitost- nevím a rád se zase něco nový přiučím, proto se asi navíc udává ta Ear, že?... Jinak se VŠÍM, co jste napsala v posledním příspěvku souhlasím. Jen mám drobnou výhradu- když v opeře zmáčknu f5, to jako aktualizuj, odešle to vícenásobně můj již napsaný příspěvek- po příčině jsem nepátral a v opeře se moc nevyznám, jen vím, že je na mé sestavě rychlejší, než ie. PS: Ochrany jsou už nějakej ten pátek hotový, jen schéma jsem oproti tomu odeslanýmu upravil do větší logičnosti- měl jsem totiž čas si nad tím v klidu sednout. Fungují v pohodě. A ...zkráceno | |
Vloženo: 25.3.2008 12:59 z IP: 195.178.67.252 | |
| Andrea Ronešová | |
|---|---|
| Re: "Dojde-li k napěťovému průrazu, rychle stoupající proud způsobí lokální přehřátí a nevratnou destrukci tranzistoru projevenou zpravidla roztržením plastového pouzdra. Vlastní několikalete zkušenosti :-)" Pokud dojde k napěťovému průrazu (avalanche breakdown) tak proud nemá důvod růst. V sérii je zdroj 325V, rozptylová indukčnost a tranzistor, na kterém je při průrazu V(BR)DSS tj. něco přes 600V. Z toho jasně plyne, že proud rozptylem klesá k nule a to dokonce skoro lineárně. Na tranzistoru se spálí energie nahromaděná v rozptylu. Pokud tato energie není větší než Repetitive avalanche energy EAR uváděná výrobcem a nezpůsobí překročení max. teploty přechodu, tak se nic nestane. Místo na RCD ochraně nebo transilu se bude energie z rozptylu pálit v tranzistoru. Mimochodem, v datašítu 2SK2645 je uvedena Avalanche capability IAV = 9A při 100uH, to znamená, že je v nechráněném režimu schopen rozepínat proud 9A indukčností 100uH. Primární proud nebude větší než 0,9A, kolik tak asi může být rozptyl? I kdyby byl těch 100uH tak je to 100-násobná rezeva. |
|
Vloženo: 25.3.2008 11:14 z IP: 147.228.95.97 | |
| 123 | |
|---|---|
| 123 | |
Vloženo: 24.3.2008 19:47 z IP: 147.228.209.160 | |
| jura | |
|---|---|
| proud je u tohoto zdroje omezen na asi 0,65A. Víc z té rozptylové indukčnosti bohužel nevycucáte, byť je v sérii s tvrdým zdrojem. | |
Vloženo: 24.3.2008 14:39 z IP: 85.160.84.73 | |
| Destrukce tranzistoru.. | Michal |
|---|---|
| Budu-li dělat tento pokus s bezpečným omezením proudu s ohledem na výkonové přetížení, nevidím důvod, proč by to tranzistor nevydržel. Ve spínaném zdroji ale takové omezení není (na vstupu zdroje je kondenzátor nabitý na 325V, jako velmi tvrdy zdroj + nějaky ten ohm primárního vinutí a emitorového odporu)!! To co uvádíte se zdaleka nepřibližuje podmínkám tranzistoru ve spínaném zdroji. Dojde-li k napěťovému průrazu, rychle stoupající proud způsobí lokální přehřátí a nevratnou destrukci tranzistoru projevenou zpravidla roztržením plastového pouzdra. Vlastní několikalete zkušenosti :-) | |
Vloženo: 24.3.2008 14:27 z IP: 213.235.145.94 | |
| anonym | |
|---|---|
| A nebo zkuste nízkonapěťový IRL... do 30V. Konec válení se, jdu se věnovat něčemu užitečnýmu. | |
Vloženo: 24.3.2008 14:10 z IP: 85.160.84.73 | |